采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上,在它們的交界面就形成PN結(jié)。PN結(jié)
具有單向?qū)щ娦浴Ｎ镔|(zhì)總是從濃度高的地方向濃度低的地方運(yùn)動(dòng)，這種由于濃度差而產(chǎn)一的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。

     如果在PN結(jié)的兩端外加電壓,就將破壞原來的平衡狀態(tài)。此時(shí),擴(kuò)散電流不再等于漂移電流，因而PN結(jié)將有
電流流過。當(dāng)外加電壓極性不同時(shí)，PN結(jié)表現(xiàn)出不同的導(dǎo)電性能,即呈現(xiàn)出單向?qū)щ娦浴N結(jié)外加電壓時(shí)處于導(dǎo)
通狀態(tài),當(dāng)電源的負(fù)極接到PN結(jié)的N端時(shí),稱PN結(jié)外加正向電壓,也稱正向接法或正向偏置。此時(shí)外電場(chǎng)將多數(shù)載
流子推向空間電荷區(qū)，使其變窄，削弱了內(nèi)電場(chǎng)，破壞了原來的平衡，使擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加劇，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。由于
電源的作用，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)將源源不斷地進(jìn)行，從而形成正向電流，PN結(jié)導(dǎo)通,PN結(jié)導(dǎo)通時(shí)的結(jié)壓降只有零點(diǎn)幾伏,
因而應(yīng)在它所在的回路中串聯(lián)一個(gè)電阻,以限制回路電流,防止PN結(jié)因正向電流無窮大而損壞。

     當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài),當(dāng)電源的正極接到PN結(jié)的N端,且電源的負(fù)極接到PN結(jié)的P端時(shí),稱PN
結(jié)外加反向電壓,也稱反向接法或反向偏置,此時(shí)外電場(chǎng)使空間電荷區(qū)變寬,加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng),阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行,
而加劇漂移運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行,形成反電流,也稱為漂移電流。因?yàn)樯僮拥臄?shù)目極少，即使所有的少子都參與漂移運(yùn)動(dòng)，
批向電流也非常小，所以在近似分析中常將它忽略不計(jì)，認(rèn)為PN結(jié)外加反向電流時(shí)處于截止?fàn)顟B(tài)。

     在一定條件下，PN結(jié)具有電容效應(yīng)，根據(jù)產(chǎn)生原因不同分為勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容。勢(shì)壘電容是當(dāng)PN結(jié)外加
電壓變化時(shí),空間電荷區(qū)的寬度將隨之變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增大或減小,這種現(xiàn)象與電容器的充
放電過程相同。擴(kuò)散電容是PN結(jié)處于平衡狀態(tài)時(shí)的少子常稱為平衡少子。PN結(jié)處于正向偏置時(shí),從P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)
的空穴和從N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子均稱為非平衡少子。當(dāng)外加正向電壓一定時(shí),靠近耗盡層交界面的地方非平
衡少子和濃度高,而遠(yuǎn)離交界面的地方濃度低,且濃度自己高到低逐漸衰弱,直到零。形成一定的濃度梯度,從而形
成擴(kuò)散電流。當(dāng)外加正向電壓增大時(shí),非平衡少子的濃度增大且濃度梯度也增大,從外部看正向電流增大，當(dāng)外加
正向電壓減小時(shí)與上述變化相反。

     深圳市麗晶微電子科技有限公司，專業(yè)從事半導(dǎo)體器行業(yè)的設(shè)計(jì)和銷售，專注于MASK,AISK芯片定制,定時(shí)
IC,閃燈IC,音樂IC定制,PCBA定制。提供有大量標(biāo)準(zhǔn)品IC和客戶委托開發(fā)設(shè)計(jì)的OTP軟件定制。
聯(lián)系電話:0755-29100085