電路中經常用到MOSFET，作為一種常用的半導體器件，需要了解它的一些特性。MOSFET的飽和區
與線性區都是出現了溝道的狀態，但是它們的根本差別就在于溝道是否被夾斷。電壓對溝道寬度的
影響是：柵極電壓將使溝道寬度均勻地發生變化，源-漏電壓將使溝道寬度不均勻地發生變化。
在線性區時，由于源-漏電壓較低，則整個溝道的寬度從頭到尾變化不大，這時柵極電壓控制溝道
導電的能力相對地較差一些，于是跨導較小。同時，隨著源-漏電壓的增大，溝道寬度的變化增大，
使得漏端處的溝道寬度變小，則柵極電壓控制溝道導電的能力增強，跨導增大。
而在飽和區時，源-漏電壓較高，溝道夾斷，即在漏極端處的溝道寬度為0，于是柵極電壓控制溝
道導電的能力很強（微小的柵極電壓即可控制溝道的導通與截止），所以這時的跨導很大。因此，
飽和區跨導大于線性區跨導。可見，溝道越是接近夾斷，柵極的控制能力就越強，則跨導也就越大；
溝道完全夾斷后，電流飽和，則跨導達到最大——飽和跨導。
