中歐第三代半導體高峰論壇”在深舉行
深圳企業在論壇上展示半導體領域科研成果。
我國的半導體技術的發展愈加愈速度，昨日由深圳市科學技術協會指導，南方科技大學、深圳市坪山區人民政府、深圳青銅劍科技股份有限公司共同主辦的“中歐第三代半導體高峰論壇”在深圳館舉行。來自英國、瑞典、中國的兩百多位專家學者和產業界人士參加論壇，圍繞碳化硅、氮化鎵等第三代半導體技術的最新發展前景展開熱議。
以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術，作為新一代信息技術、新能源、新材料三大產業的結合，受到深圳市的高度重視。前深圳市在第三代半導體領域具有較好的研發和產業化基礎，不少高校與企業在從事這方面的工作。他指出要借助此次論壇的召開，搭建更高效的國際交流平臺，促進我國第三代半導體行業快速發展。
與會的專家學者分別從各自的研發領域針對碳化硅和氮化鎵器件的設計、工藝、應用進行了深入介紹，并探討了第三代半導體產業的市場機遇和未來發展趨勢。
目前全球碳化硅功率器件的發展與應用情況采用自主研發的新型工藝技術實現的全外延結構溝槽JBS二極管，各項指標已經達到了國際先進水平。
近年來，以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強等優點，可廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信、消費類電子等領域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產業發展的核心技術，全球市場容量未來將達到百億美元，已成為美國、歐洲、日本半導體行業的重點研究方向之一。
目前我國在第三代半導體材料研究上一直緊跟世界前沿，是世界上為數不多的碳化硅材料襯底、材料外延產業化的國家。在第三代半導體器件設計和制造工藝方面也在向世界先進水平邁進。麗晶微電子的PCBA解決方案、IC解決方案、單片機開發、芯片開發，一直在不斷的新的研發中。
目前中國的第三代半導體行業已經迎來發展的春天。基本半導體公司通過整合海內外創新技術、人才與國內產業資源，已全面掌握碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面技術，成為國內發展最快的碳化硅功率器件企業之一。
本文來自深圳商報，略有刪減。
