集成電路就是采用一定的制造工藝，將晶體管，場效應管，二極管，電阻，電容等許多元件組成的具有完整
功能的電路制作在同一塊半導體基片上，然后加以封裝所構成的半導體器件。由于它的元件密度高（即集成度高）、
體積小、功能強、功耗低、外部連線及焊點少，從而大大提高了電子設備的可靠性和靈活性，實現了元件、電路與系
統的緊密結合。

集成電路常見的元件是雙極型管，即NPN型和PNP型。在制造集成電路時，需將各個元件相互絕緣。利用PN結
反向偏置時電阻很大的特點,把各個元件所在N區或P區四周用PN結包圍起來,便可使它們相互絕緣,稱這個N區或P區為
隔離島。在基片上經過氧化、光刻、腐蝕、擴散、外延及氧化等重復過程，即可制造出隔離島。利用上述的工藝過程
在隔離島中首先制造出基區，然后制造發射區和集電區，最后制造各極引出窗口，就成為NPN型管。

PNP型管有襯底PNP管和橫向PNP管,襯底PNP管以隔離槽為集電極，是縱向管，即載流子從發射區沿縱向向集
電區運動。由于可以準確控制基區的厚度，所以β值較大。但由于隔離槽只能接受在整個電路電位最低端，所以應用
的局限性很大。橫向PNP管的載流子從發射區沿水平方向向集電區運動,幫稱橫向管。由于制造工藝所限，基區較厚，
所以β值較小，僅為2-20倍。但其發射結和集電結耐壓較高，因而可利用橫向PNP管和縱向NPN管復合而成既有足夠大
的電流放大系數又耐壓較高的管子,從而構成各方面性能俱佳的放大電路。

與分立元件相比，集成電路中的元件有如下的特點：
             一、具有良好的對稱性。由于元件在同一硅片上用相同的工藝制造，所以它們的性能比較一致，而且由于元
件密集使環境溫度差別很小，所以同類元件溫度對稱性也較好。

二、電阻與電容的數值有一定的限制。由于集成電路中電阻和電容要占用硅片的面積，且數值愈大，占用面
積也愈大。因而不易制造大電阻和大電容。因此，電阻阻值范圍為幾十歐--幾千歐，電容容量一般小于100pF。

三、縱向晶體管的β值大，橫向晶體管的β值小，但PN結耐壓高。

四、用有源元件取代無源元件。由于縱向NPN管占用硅片面積小且性能好,而電阻和電容占用硅片面積大且取
值范圍窄,因此,在集成電路的設計中盡量多采用NPN型管,而少用電阻和電容。

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