觸摸臺(tái)燈電路板電路中MOSFET常見的擊穿特征

觸摸臺(tái)燈電路板電路中有推動(dòng)燈串的電流放大電路，這其中起放大作用的元器件，很多都是使

用MOSFET，因其有電流放大倍數(shù)較大、功率高、穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn)。觸摸電路板的LED輸出與 MOSFET

的響應(yīng)速度也有一定關(guān)系，響應(yīng)速度快，燈光在轉(zhuǎn)換時(shí)平順，無(wú)停頓。

觸摸板上面的這個(gè)MOSFET有時(shí)也會(huì)燒壞掉，就是我們常說(shuō)的擊穿，擊穿有以下幾種特征：

（1）穿通擊穿的擊穿點(diǎn)軟，擊穿過(guò)程中，電流有逐步增大的特征，這是因?yàn)楹谋M層擴(kuò)展較寬，產(chǎn)生

電流較大。另一方面，耗盡層展寬大容易發(fā)生DIBL效應(yīng)，使源襯底結(jié)正偏出現(xiàn)電流逐步增大的特征。

（2）穿通擊穿的軟擊穿點(diǎn)發(fā)生在源漏的耗盡層相接時(shí)，此時(shí)源端的載流子注入到耗盡層中，被耗盡

層中的電場(chǎng)加速達(dá)到漏端，因此，穿通擊穿的電流也有急劇增大點(diǎn)，這個(gè)電流的急劇增大和雪崩擊

穿時(shí)電流急劇增大不同，這時(shí)的電流相當(dāng)于源襯底PN結(jié)正向?qū)〞r(shí)的電流，而雪崩擊穿時(shí)的電流主

要為PN結(jié)反向擊穿時(shí)的雪崩電流，如不作限流，雪崩擊穿的電流要大。

（3）穿通擊穿一般不會(huì)出現(xiàn)破壞性擊穿。因?yàn)榇┩〒舸﹫?chǎng)強(qiáng)沒(méi)有達(dá)到雪崩擊穿的場(chǎng)強(qiáng)，不會(huì)產(chǎn)生大

量電子空穴對(duì)。

（4）穿通擊穿一般發(fā)生在溝道體內(nèi)，溝道表面不容易發(fā)生穿通，這主要是由于溝道注入使表面濃度

比濃度大造成，所以，對(duì)NMOS管一般都有防穿通注入。

（5）一般的，鳥嘴邊緣的濃度比溝道中間濃度大，所以穿通擊穿一般發(fā)生在溝道中間。

（6）多晶柵長(zhǎng)度對(duì)穿通擊穿是有影響的，隨著柵長(zhǎng)度增加，擊穿增大。而對(duì)雪崩擊穿，嚴(yán)格來(lái)說(shuō)也

有影響，但是沒(méi)有那么顯著。

在觸摸LED燈線路板電路中應(yīng)用MOSFET時(shí)，各項(xiàng)參數(shù)一定要測(cè)量確認(rèn)，例如電壓、電流等極限值，

防止過(guò)高而引起擊穿。

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